消息称三星启动新战略, 6个月内将2纳米GAA工艺良率提升至60%-70%

IT之家7月7日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到2026年，还使得该公司1.4纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

据Chosun最新报道，三星已经开始实施一项“选择与集中”战略，其主要目标是将2纳米GAA技术的良率提升至60%至70%。一旦达到这一里程碑，大规模生产将成为可能，潜在客户也将进一步认识到其技术潜力。

据报道，三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升2纳米GAA良率的战略。消息人士@Jukanlosreve在X平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于2纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在2纳米GAA节点上已经取得了一定进展，使其成为帮助三星实现复兴并对抗台积电的可行选择。

然而，三星的处境并不乐观。此前曾有报道称，三星终于获得了一线生机，有望为高通生产骁龙8EliteGen2芯片，但在完成试生产阶段后，高通却据称取消了这一计划。尽管如此，三星并未放弃努力，据悉其已完成了第二代2纳米工艺的基本设计，并计划在未来两年内推出第三代技术，即“SF2P+”。

据IT之家了解，通常情况下，为了使晶圆生产在商业上具有可行性，客户的良率需要达到70%。报道称三星高管已为其各部门设定了六个月的期限，以实现上述目标。